CMOS   0.18 - 1.0 µm CMOS Prozesse
für analoge und mixed-signal Applikationen bis 100 Volt (optional mit EEPROM)


Diese CMOS Prozesse bieten in der Grundversion mit Single Poly und Single Metall eine kostengünstige Lösung. Je nach Prozess stehen verschiedene Optionen zur Verfügung.

      -   Versorgungsspannung < 1 Volt bis 5 Volt

        -   n-channel und p-channel Hochspannungstransistoren bis 100 Volt   

        -   Bipolar Transistoren, Dioden, Schottky und Zener  

        -   bis zu 5 Metallebenen 
        -   Doppel-Polyebenen für lineare Kondensatoren 
        -   Hochohmige Widerstände, Widerstände mit niedrigem Temperaturkoeffizienten 
        -   RAM, ROM, EEPROM, MEMS 

 


Typische elektrische Parameter des 1.0 µm CMOS Prozesses:
 

 

Device

Vt

[V]

Ids

[mA/µm]

BVDSS

[V]     

I

[µm]

RDSON

[kµm]

 

M O S    T R A N S I S T O R S

 

N-channel

0,80

0,18

13      

1,2

 

 

P-channel

-0,90

0,07

-13      

1,3

 

 

N-channel zero

-0,10

0,10

14      

6,0

 

 

N-channel high voltage

0,80

 

95      

 

40

 

P-channel high voltage

-0,90

 

-45      

 

110

 

S P E C I A L   D I O D E S

 

Schottky

 

 

10      

 

 

 

Zener

 

 

5      

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 



 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 




Kondensatoren und Wiederstände:
 

Device

C

[fF/µm2]

TC

[10-3/K]

RS

[kµm]

Poly to poly capacitor

0,43

0,07 

 

High ohmic resistor

 

- 5 

20

Low TC resisitor

 

- 0,2 

350