Bipolar    5.0 µm Bipolar Prozesse
für analoge Applikationen bis 40 Volt

 

Bipolar Prozesse mit 9 Masken ermöglichen eine schnelle und kostengünstige Entwicklung eines kundenspezifischen ASICs. Unsere Prozesse können in zwei von einander unabhängigen Foundries gefertigt werden. Der Prozess bietet niedrige Sättigungsspannungen, sowie geringe Sperrströme und niedriges Rauschen. Die hohe Stromverstärkung auch bei niedrigen Kollektorströmen beweist einen sehr sauberen Prozessablauf. Mit diesen Prozessen können viele abgekündigte ASICs und Standard-ICs auch zukünftig produziert werden. ASIC verfügt über eine eigene Zellen-Bibliothek mit zahlreichen Grund- und Makrozellen, wie zum Beispiel:
 

        -   NPN-, PNP-Transistoren und Trimmzellen

        -   Oxid-Kondensatoren , Diffundierte- und Dünnfilm-Widerstände   

        -   Verstärker, Komparatoren, Spannungsreferenzen  

        -   Hallzellen, Oszillatoren, Leitungstreiber 

 

Technische Daten

 

 

min 

typ  

max

Einheit

 

Durchbruchspannung

BVceo

24

 

 

V

 

Durchbruchspannung

BVcbo

40

 

 

V

 

Durchbruchspannung (PNP)      

BVebo

40

 

 

V

 

Stromverstärkung (NPN)

HFE

80

 

400

 

 

Stromverstärkung (PNP)

  HFE

20

 

200

 

 

Transitfrequenz (NPN)

 

1

 

 

Ghz

 

Diffundierte Widerstände

 

 

180

 

Ohm/sq.

 

Oxid-Kondensatoren

 

 

 

 

Farad/sq.

 

Versorgungsspannung

 

1

 

24

V

 

Temperaturbereich (Plastikgehäuse)

 

-40

 

125

°C